极紫外 (EUV) 光刻专利格局。
专利组合概览
各国专利趋势
先进微芯片技术：极紫外光刻 (EUVL) 的作用
EUV光刻 IP领域的主要参与者
先进微芯片技术：极紫外光刻 (EUVL) 的作用
EUV 光刻技术的最新进展
高 NA（数值孔径）EUV 光刻
先进的 NA（数值孔径）EUV 光刻是芯片制造的一项进步，旨在解 波兰电话号码 决现有 EUV 机器在实现 2nm 以下节点所需的精细分辨率方面的局限性。
这项先进技术通过使用更大的光学元件来改进传统的 EUV 光刻，以实现更高分辨率的图案，这对于下一代半导体制造至关重要。
高数值孔径 EUV 光刻将 EUV 光聚焦得更清晰，尽管焦深较浅，这需要精确的光刻胶和掩模设计以避免任何模糊。这种方法有望成为未来芯片开发的核心，需要深入的行业合作才能成功实施。
使用多触发电阻进行 EUV 光刻图案化
EUV光敏电阻的研究，特别是着眼于高NA EUV光刻，随着多触发光刻胶（MTR）的发展而取得进展。这种新型抗蚀剂旨在应对高数值孔径系统中预期增加的光子散粒噪声，并旨在尽管焦点深度减小，但仍能保持薄膜的高 EUV 吸收率。
MTR 概念使用分子材料来优化分辨率并最小化粗糙度，并拥有超过 18 μm-1 的吸收能力。最近的实验显示，在优化剂量要求的精细特征图案化方面取得了有希望的结果，证明了该抗蚀剂在未来 EUV 光刻应用中的潜力。
EUV 颗粒碳纳米管
EUV 颗粒在光刻过程中至关重要，可保护照相掩模免受污染。对碳纳米管的研究促使人们寻找能够承受高功率 EUV 扫描仪恶劣条件的材料。
这些材料由于其强大的机械和热性能而具有非常积极的作用，这对于维持扫描仪设备内部的高真空和通风环境是必需的。