CMOS逻辑是使用互补晶体管实现的。否定运算（NOT功能）是使用 巴拉圭电话号码数据 两个电子开关实现的，其中一个电子开关是另一个电子开关的负载（图 4.9）。此外，为了使电路正常工作，晶体管必须具有不同类型的通道电导率。对于指定的正电源电压，场效应晶体管 V1 必须是 p 沟道晶体管，而场效应晶体管 V2 必须是 n 沟道晶体管。
当在栅极上施加零电压时，晶体管 V1 会打开，因为在这种情况下，栅极上相对于源极产生负电压，并且空穴从 n 衬底被拉入栅极下方的表面层，从而形成导电通道。当正电压施加到栅极时，晶体管 V2 打开。在这种情况下，传导电子被吸入晶体管栅极下方的表面层。
当将逻辑 1（大的正电压）施加到电路的输入端（图 4.9）时，晶体管 VI 关闭，晶体管 V2 打开。在这种情况下，我们在元素的输出处获得逻辑零。如果向电路输入端提供逻辑零，则晶体管 V2 关闭，晶体管 V1 打开 - 我们在输出端得到逻辑一。
KMDP逻辑的主要优点是其低功耗。 MOSFET 的栅极电流非常小（几乎为零），因此只需要很小的功率即可驱动 FET。在高速 FET 电路中，大部分电力都用于对 FET 输入电容进行充电和放电，而不是产生恒定的栅极驱动电流。
KMDP 元件的电路不包含电阻器，电阻器的加热通常会消耗大量能源。通过减小场效应晶体管的几何尺寸，很容易实现由于栅极面积减小以及栅极和源极之间电容减小而导致的速度显著提升。